तोशिबा उच्च बैंडविड्थ फेरम विकसित करता है

तोशिबा ने अपने फेरम (फेरोइलेक्ट्रिक) का उच्च क्षमता संस्करण विकसित किया है रैम) स्मृति जो पहले के विस्तृत प्रोटोटाइप की गति से आठ गुना डेटा भेज और प्राप्त कर सकती है।

फेरम एक अपेक्षाकृत नई प्रकार की स्मृति है जो ड्रम चिप्स की गति को जोड़ती है, जो आमतौर पर कंप्यूटर में मुख्य स्मृति के रूप में उपयोग की जाती है, और डेटा को बनाए रखने की क्षमता, जबकि सेल फोन, कैमरे और अन्य गैजेट्स में उपयोग की जाने वाली फ्लैश मेमोरी चिप्स की तरह बिजली बंद है। यह वर्षों से विकास में है लेकिन अभी तक व्यापक पैमाने पर उत्पादन नहीं देखा गया है।

नई चिप, जिसे सैन फ्रांसिस्को में इस हफ्ते के अंतर्राष्ट्रीय सॉलिड-स्टेट सर्किट्स सम्मेलन (आईएसएससीसी) में विस्तृत किया जाएगा, में 16 एमबी की क्षमता है और एक पढ़ा गया है प्रति सेकंड 1.6 जीबी की गति लिखें। तोशिबा ने 2006 में अपनी फेरम प्रगति का आखिरी विस्तार किया था, जब इसमें 4 एमबी चिप था जो 200 एमबीपीएस डाटा ट्रांसफर प्रबंधित करता था।

इस सप्ताह आईएसएससीसी में चिप का विस्तार किया जाना चाहिए, जो कंपनी से प्रोटोटाइप की एक श्रृंखला में नवीनतम है, जो संभव है प्रौद्योगिकी का व्यावसायीकरण। कंपनी के पास बड़े पैमाने पर चिप्स का उत्पादन शुरू करने की कोई ठोस योजना नहीं है और यह कहता है कि मूल्य सबसे बड़ी बाधाओं में से एक है।

लक्ष्य अनुप्रयोगों में सेमीकंडक्टर्स में ऑन-चिप कैश मेमोरी शामिल है। जबकि यह तेजी से पढ़ने और लिखने का समर्थन करता है और इसकी सामग्री को तब भी रख सकता है जब चिप की समग्र क्षमता को संचालित किया जाता है, 16MB में, पारंपरिक फ्लैश मेमोरी चिप की तुलना में बहुत कम है।