सैमसंग, तोशिबा ने एनएएनडी फ्लैश स्पीड में बड़ी वृद्धि की मांग की

सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स और तोशिबा ने बुधवार को कहा कि वे एनएएनडी फ्लैश मेमोरी में डेटा के प्रवाह को तेज करने के लिए एक नए विनिर्देश के लिए दबाव डालने की योजना बना रहे हैं, आईपैड और आईफोन से उत्पादों में डेटा एसएसडी में स्टोर करने के लिए इस्तेमाल किया जाता है (ठोस राज्य ड्राइव) पीसी और डेटा केंद्रों में उपयोग किया जाता है।

एनएएनडी फ्लैश मेमोरी चिप्स के दुनिया के दो सबसे बड़े निर्माताओं ने 400 मेगाबिट-प्रति-सेकंड इंटरफ़ेस के साथ डीडीआर (डबल डेटा दर) एनएएनडी फ्लैश मेमोरी विकसित करने के लिए खुद को प्रतिबद्ध किया है, जो कि है प्रौद्योगिकी के लिए पहले के विनिर्देशन पर 133 एमबीपीएस की तुलना में तेज और परंपरागत एनएएनडी फ्लैश चिप्स पर 40 एमबीपीएस इंटरफ़ेस से दस गुना तेज।

टॉगल-मोड डीडीआर नामक तकनीक, ओएनएफआई (ओपन नंद फ्लैश इंटरफेस) के प्रतिद्वंद्वी भी है) इंटेल, माइक्रोन टेक्नोलॉजी ए द्वारा समर्थित एनडी सैनडिस्क। दोनों प्रौद्योगिकियों का लक्ष्य एसएसडी जैसे उच्च प्रदर्शन उत्पादों के लिए है, जो एनएएनडी फ्लैश बैकर्स किसी दिन हार्ड डिस्क ड्राइव (एचडीडी) को प्रतिस्थापित करेंगे।

ओएनएफआई वेबसाइट की जानकारी के मुताबिक ओएनएफआई 166 एमबीपीएस और 200 एमबीपीएस की गति दे सकता है। उद्योग शोधकर्ता फॉरवर्ड इनसाइट्स के सीईओ ग्रेगरी वोंग ने कहा, "दोनों कार्यान्वयन समान प्रदर्शन स्तर को लक्षित कर रहे हैं।" "ओएनएफआई के पास एक प्रमुख शुरुआत है क्योंकि इसे पहले स्थापित किया गया था, लेकिन टॉगल-मोड डीडीआर मानक एसिंक्रोनस इंटरफ़ेस के साथ थोड़ा अधिक संगत है।" 99 99

उन्होंने कहा कि दोनों प्रौद्योगिकियों की गोद लेने की दर आपूर्ति से प्रभावित होगी, और सैमसंग के बाद से और तोशिबा एनएएनडी फ्लैश मेमोरी मार्केट का लगभग 70 प्रतिशत आपूर्ति करते हैं, वे टॉगल-मोड डीडीआर को अपनाने के लिए अपने नेतृत्व का लाभ उठा सकते हैं।

ऑब्जेक्टिव एनालिसिस के एक विश्लेषक जिम हैंडी ने कहा कि एनएएनडी चिप्स के लिए तेज इंटरफेस उनके कारण महत्वपूर्ण हैं डेटा प्रोसेसिंग के लिए बढ़ते उपयोग, न सिर्फ संगीत, फोटो, वीडियो और यूएसबी ड्राइव। सैमसंग, तोशिबा की घोषणा से पता चलता है कि दोनों कंपनियां टॉगल-मोड डीडीआर में संगतता के मुद्दों का सामना कर रही हैं।

एक समाचार विज्ञप्ति में, कंपनियों ने कहा कि वे स्मार्टफोन, टैबलेट पीसी और एसएसडी की निरंतर गोद लेने की उम्मीद करते हैं। उच्च प्रदर्शन वाले एनएएनडी चिप्स की विस्तृत श्रृंखला, और गति में निरंतर उन्नयन से एनएएनडी फ्लैश मेमोरी के आधार पर नए उत्पादों के निर्माण का कारण बन जाएगा।

सैमसंग ने पिछले महीने टॉमल-मोड डीडीआर नंद फ्लैश का उपयोग करने वाले पहले एसएसडी में से एक पेश किया मेमोरी, एक 512 जीबी डिवाइस जिसमें 250 मेगाबाइट्स प्रति सेकंड (एमबीपीएस) और 220 एमबीपीएस अनुक्रमिक लिखने की गति की अधिकतम पढ़ने की गति है।